ПЭМ JEOL JEM-F200

Описание
Спецификация
Фото

Использование различных источников электронов (термополевого либо автоэмиссионного), разных полюсных наконечников и разнообразных приставок позволяет сконфигурировать JEM-F200 для исследования любых образцов и решения любых задач.

Полюсный наконечник	Сверхвысокого разрешения	Высокого разрешения
Разрешение по точкам (TEM), нм	0,19	0,23
Разрешение по решетке (TEM), нм	0,1
Разрешение по решетке (STEM-HAADF), нм	0,14 (автоэмиссионный катод) 0,16 (катод Шоттки)	0,16 (автоэмиссионный катод) 0,19 (катод Шоттки)
Ускоряющее напряжение	80-200кВ 20-200кВ (опция)
Тип эмиттера	ZrO/W (100) катод Шоттки, либо W <310> автоэмиссионный катод
Диапазон увеличений	ПЭМ: х20 – х2 000 000 ПРЭМ: х200 – х150 000 000
Максимальный угол наклона образца	±80° (с использованием держателя высокого наклона)
Устанавливаемые приставки	Энергодисперсионный спектрометр (ЭДС) – до 2 шт. Спектрометр характеристических потерь энергии электронов Цифровые камеры (ПЗС или КМОП) Система ПЭМ-томографии

*характеристики приведены для полюсного наконечника сверхвысокого разрешения