Стендеры для налива/слива нефтепродуктов в морские и речные суда-танкеры
Электронно-зондовый микроанализатор JXA-iHP200F (integrated HyperProbe) – это превосходный прибор для неразрушающего, высококоточного локального количественного анализа элементного состава различных материалов на субмикронном уровне. От модели JXA-iSP100 он отличается тем, что использует в качестве источника электронов катод Шоттки, который обладает более высокой яркостью и намного меньшим диаметром электронного пучка. Это позволяет JXA-iHP200F проводить анализ с более высокой локальностью, чем микроанализаторам с вольфрамовыми и LaB6 катодами.
JXA-iHP200F дает возможность не только получать точные результаты количественного анализа, но и регистрировать отличного качества изображения поверхности образца. Разрешение JXA-iHP200F в режиме регистрации вторичных электронов составляет2,5 нм на аналитическом рабочем отрезке 11 мм, что является прекрасным показателем для микроанализатора, основной задачей которого является точный элементный анализ. Также этот прибор позволяет исследовать однородность материала, регистрируя отраженные электроны, проводить элементное картирование при помощи спектрометров с дисперсией по энергии или по длинам волн, изучать поля механических напряжений и разориентацию кристаллитов, используя систему дифракции отраженных электронов, по сути, работая в режиме растрового электронного микроскопа.
По желанию заказчика JXA-iSP100 комплектуется системой катодолюминесценции. Она позволяет получать изображения, регистрировать, анализировать спектры свечения образцов под воздействием электронного пучка и проводить картирование поверхности на определенных длинах волн. На выбор доступны системы двух типов: подключаемая через оптический микроскоп или через порт волнового спектрометра. Оба варианта имеют свои конструктивные особенности и возможности.
Основные преимущества:Электронно-оптическая система | |
---|---|
Источник электронов | Термополевой катод Шоттки |
Диапазон ускоряющих напряжений | 1 - 30 кВ (с шагом 100 В) |
Диапазон токов пучка | 1 пА - 3 мкА |
Стабильность тока пучка | Не более ±0,3% в час и не более ±1% за 12 часов |
Разрешение на аналитическом рабочем отрезке (11 мм) | 2,5 нм |
Диапазон увеличений | от x40 до х300’000 |
Изображения, получаемые с детектора отраженных электронов | Топология поверхности и контраст по атомному номеру |
Диаметр зонда | 40 нм при 10 кВ и 10 нА100 нм при 10 кВ и 100 нА |
Система микроанализа | |
Диапазон анализируемых элементов | На спектрометрах с дисперсией по длинам волн: от 4Be до 92U На энергодисперсионном спектрометре: от 4Be до 92U |
Количество спектрометров | С дисперсией по длинам волн: от 1 до 5 Энергодисперсионных: 1 |
Диапазон детектируемых длин волн | От 0,087 до 9,3 нм |
Предметный столик | |
Диапазон перемещений образца | X: ±90 мм; Y: ±90 мм |
Максимальный размер образца | 100 мм х 100 мм х 50 мм |
Скорость перемещений столика образцов | До 15 мм/с |
Точность позиционирования столика образцов | Не более 0,5 мкм |
Приставки | |
Основные приставки и опции | Спектрометр мягкого рентгеновского излучения (SXES) Столик для образцов больших размеров Система катодолюминесценции Система дифракции отраженных электронов (EBSD) |